MOSFET
MOSFET
in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field
Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated
Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET, IGFET yada
Surface Field Effect Transistör de denir. MOSFET, JFET' e pek
çok yönden benzerlik gösterir. JFET' de Gate Source ters
polarmalanmış bir PN oluşturmaktadır. MOSFET' de böyle değildir.
MOSFET' de gate öyle oluşturulmuşturki drain ile source arasındaki
bölge üzerine silikon dioksit ve onun üzerine de gate elektrodu
(metal plaka) konularak yapılmıştır. Böylece gate metal elektrodu
ile drain ve source arasına bir yalıtkan konulmuş olur. Buradaki
yalıkan silikon dioksit dir. Bütün oksitler iyi birer
yalıtkandır. Hatırlarsanız, oksitlenmiş kontaklardan elektrik
akımı geçmez ve biz de oksitlenmiş yerleri temizleriz. Metal oksit
ve yarı iletken ile bir Gate oluşturur ve MOSFET adının oluşmasını
sağlar. Bu nedenle gate gerilimine JFET' de olduğu gibi bir
sınırlandırma konulmamıştır. Tabi bu teoriktir. Gate yalıtkanı o
kadar incedir ki eğer bir koruma yoksa vücudumuzdaki gerilim bile
bu yalıtkanı delmeye yeter. Ayrıca bu yalıtkan yüzünden gate akımı
neredeyse hiç yoktur ve giriş empedansı çok yüksektir. Tipik
olarak gate akımı 10 -14 A (0,01piko amper) ve 10-14
ohm (10.000 Giga ohm). Yukarda belirttiğim gibi gate geriliminin
sınırlı olmaması ayrıca MOSFET' de iki durumda çalışma olanağı
sağlar. Bunlar "Arttırılmış - Enhancement" ve "Azaltıcı -
Depletion" çalışma şekilleridir. Enhancemen tipi bir MOSFET'
in iç yapısı ve sembolleri aşağıdaki şekilde görülmektedir.
N+
nın anlamı, n katkılı bölgenin fazlaca n katkılanmış olmasıdır. Enhancement
MOSFET' lere normal olarak çalışmayan "OFF" MOSFET lerde denir.
Enhancemen MOSFET' ler uygun şekilde bayslanmadığı
sürece üzerlerinden akım akmaz. Çünkü gate bayasının sıfır olması
ile drain - source arasında iki tane arka arkaya bağlanmış PN
eklemi vardır. Drain - Source voltajı ne değerde olursa olsun
drain akımı akmaz.
|